<acronym id="lh0y6"></acronym>

<acronym id="lh0y6"><strong id="lh0y6"></strong></acronym>
  • <td id="lh0y6"><strike id="lh0y6"></strike></td>
  • <td id="lh0y6"><option id="lh0y6"></option></td>

    新聞資訊
    行業新聞

    我國創“多重鰭高電晶體” 晶片多塞2千萬顆還更省電

    發布時間:2013-12-11 10:21:40    點擊:
      半導體界的戰爭日新月異,製程也逐漸從傳統平面式轉為立體。繼國際大廠推出彎曲式「鰭式場效電晶體」后,國研院也選在3日發表領先全球的製程技術,做出彈性更高、體積更小的「多重鰭高電晶體」,大幅提升國內半導體廠商的國際競爭力。
     

      國研院研發出彈性更高、體積更小的「多重鰭高電晶體」。

      奈米元件實驗室表示,「鰭式場效電晶體」(FinFET) 因為形狀有如魚鰭而得名,除了體積小較為省電,還可擴充晶片上可容納的電子元件密度,并讓不同大小的電流「各住適合的房型」,達到晶片空間利用的最佳化,藉此提升運作效能。

      國研院指出,半導體積體電路的製造,可說是一場尺寸微縮與效能提升的競賽,半導體元件最先進的製程技術,約可在1平方公分的硅晶片上,容納約1億顆電晶體;「鰭式場效電晶體」技術一旦推出,不只讓設計更具彈性,還可在同樣面積增加約2千萬顆電晶體,等于節省了兩成的製作成本。

      國研院還說,此技術已經申請專利,且自12月起,將為國內學術界開放製作平臺,方便其研發各種元件雛型與製程技術,讓學術前瞻研究與產業接軌;預估在5年內,就能協助業界量產「多重鰭高的鰭式場效電晶體」

    上一篇:第一頁
    下一篇:石英晶體諧振器基礎知識普及之--簡介及用途

    華豐晶體
    關于我們 | 聯系我們 | 人力資源 | 網站地圖
    Copyright@2013 堯舜電子有限公司   電話: 0535-6811589  6811599  E-mail: hfc@hfc.net.cn 魯ICP備17055129號-1 網站建設煙臺網億網絡
    免费一级a高清无码_欧美黄色一区二区_欧美91精品久久久久网_97欧美激情超碰一区二区